長期從事集成電路、LED 和微傳感器封裝及可靠性理論和前沿技術(shù)研究，是電子封裝科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的杰出專家。建立了量子力學(xué)-分子動力學(xué)、界面斷裂力學(xué)和損傷力學(xué)為基礎(chǔ)的非線性整體-局部設(shè)計(jì)理論體系和設(shè)計(jì)平臺，提出電-濕/熱-應(yīng)力-化學(xué)等多場耦合下缺陷調(diào)控理論；突破了界面-濕-熱-應(yīng)力耦合調(diào)控關(guān)鍵技術(shù)；發(fā)明了系列先進(jìn)封裝技術(shù)，解決高密度芯片封裝中翹曲、開裂和壽命短等難題，取得了一系列的原創(chuàng)性研究成果；主持“薄膜生長缺陷跨時(shí)空尺度原位/實(shí)時(shí)監(jiān)測與調(diào)控實(shí)驗(yàn)裝置”“MEMS傳感器芯片先進(jìn)封裝測試平臺”等國家IC裝備重大專項(xiàng)、國家重大科研儀器研制項(xiàng)目；發(fā)表SCI論文424篇，合作出版專著6部（英文4部），授權(quán)發(fā)明專利196件，被 30 多個(gè)國家的著名學(xué)者（包括 70 余名國際學(xué)會會士和 10 余名中國和美國院士）廣泛引用；以第一完成人獲國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎、教育部技術(shù)發(fā)明獎一等獎，白宮總統(tǒng)教授獎、NSF青年科學(xué)家獎、國際微電子及封裝學(xué)會(IMAPS)技術(shù)貢獻(xiàn)獎、IEEE CPMT杰出技術(shù)成就獎等多項(xiàng)國內(nèi)外獎項(xiàng)。
國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃）專家，國家集成電路特色工藝及封測創(chuàng)新中心首席科學(xué)家，高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實(shí)驗(yàn)室首席科學(xué)家，電氣和電子工程師協(xié)會（IEEE）會士（Fellow），美國機(jī)械工程師學(xué)會（ASME）會士（Fellow）。
